삼성전자, 세계최초 20나노급 D램 양산
일본-대만과의 기술격차 6개월이상으로 더 벌려
삼성전자가 세계 최초로 20나노급(1나노미터는 10억분의1m) D램 반도체 양산에 들어가 일본·대만과의 기술격차를 6개월 이상으로 더 벌렸다.
삼성전자는 22일 새로 건립한 경기도 화성 16라인에서 이달부터 20나노급 D램 반도체 양산에 들어간다고 밝혔다.이날 경기도 기흥·화성 반도체 사업장에서 이건희 회장이 참석한 가운데 양산 기념식을 개최한다.
20나노급 D램은 기존 주력제품인 30나노급보다 원가생산력이 40%이상 향상돼, 삼성전자는 이로써 반도체불황을 돌파할 수 있는 경쟁력을 확보하는 동시에 일본과 대만의 후발업체에 비해 최소한 6개월 이상 기술 격차를 벌릴 수 있게 됐다.
삼성은 작년 5월부터 경기도 화성 사업장에 16라인 건설 공사에 들어가 최근 완공했다. 화성 16라인은 PC용 D램 반도체와 스마트폰 등 모바일 기기용 낸드 플래시 반도체를 함께 생산할 수 있다.
삼성전자는 22일 새로 건립한 경기도 화성 16라인에서 이달부터 20나노급 D램 반도체 양산에 들어간다고 밝혔다.이날 경기도 기흥·화성 반도체 사업장에서 이건희 회장이 참석한 가운데 양산 기념식을 개최한다.
20나노급 D램은 기존 주력제품인 30나노급보다 원가생산력이 40%이상 향상돼, 삼성전자는 이로써 반도체불황을 돌파할 수 있는 경쟁력을 확보하는 동시에 일본과 대만의 후발업체에 비해 최소한 6개월 이상 기술 격차를 벌릴 수 있게 됐다.
삼성은 작년 5월부터 경기도 화성 사업장에 16라인 건설 공사에 들어가 최근 완공했다. 화성 16라인은 PC용 D램 반도체와 스마트폰 등 모바일 기기용 낸드 플래시 반도체를 함께 생산할 수 있다.
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