황창규 삼성전자 사장, 동양인 최초로 앤디 그로브상 수상
세계최고의 반도체 기술명인 공인
삼성전자 황창규 사장이 세계 최고의 반도체 기업인 인텔의 적극 추천을 받아 세계 최고의 반도체 기술 명인으로 선정됐다.
경영과 기술 아우르는 명인 인정 최고 권위의 상
황 사장은 12일 (미 현지시각) 미 샌프란시스코 힐튼호텔에서 열린 전미전기전자통신기술인협회(IEEE) 산하 2006 IEDM 학회 오찬 행사에서 세계 전기·전자분야 최고권위 단체인 IEEE 이사회가 수여하는 <2006 IEEE 앤디 그로브 상> 을 수상했다.
<편집광만이 살아 남는다>(Only the Paranoid Survives)는 책의 저자로도 유명한 앤디 그로브는 인텔의 창업자로, 그의 이름을 딴 이 상은 2000년 이후 IEEE가 세계 반도체 및 관련 분야에서 혁신적인 발전에 기여한 인사에게 수여해 온 반도체 기술분야 세계 최고 권위의 상이다.
황 사장의 이금번 수상은 반도체 전공의 미 스탠포드대 및 MIT대 교수, 팻 겔싱어 인텔 최고기술경영자(CTO) 등 반도체 학계 및 업계 저명 인사들의 추천으로 이루어졌는데, 특히 세계 반도체 1위 기업이자 이 상의 후원사인 인텔이 황사장을 추천했다는 점은 주목할 만하다고 삼성전자는 밝혔다.
지금까지 이 상을 수상한 사람은 총 6명으로, 대부분 저명 학자들이며, 기업인으로는 이 상 후원사인 인텔의 마크 보어(Mark Bohr)가 유일하며, 동양계 기업인으로는 황사장이 최초다. 이 상이 이제까지는 대체로 학자들에게 주어졌다는 점에서, 이번 수상을 계기로 황사장은 경영과 기술 두 분야 모두를 아우르는 반도체 업계의 진정한 명인으로 평가받았다.
이번 시상식에는 약 2천명에 달하는 IEDM 학회 소속 회원을 비롯, 세계 각국 저명 학자, 반도체 업계 관계자 등 총 3천여명이 참석했다.
이 자리에서 IEEE CEO 인 클레온 앤더슨 (W.Cleon Anderson,P.E.)은 다수의 혁신적인 메모리 반도체 개발로 세계 반도체 산업 발전에 커다란 족적을 남긴 황사장에게 이 상을 수여하게 되어 영광이라고 밝혔다.
황사장은 시상식에서 "2002년 ISSCC 학회 기조연설에서 선언한 모바일 및 디지털 컨수머, 그리고 퓨전으로 대표되는 반도체의 새로운 패러다임은 이제 큰 흐름이 되었다. IEDM 기조연설에서도 제시했듯, 모바일과 디지털 컨수머가 주도한 IT 이후는 IT,BT,NT 등 거대 산업간 융합과 복합이 이루어지는 퓨전기술(FT) 시대로 들어설 것으로 보이는데, 이 시대에도 반도체가 여전히 핵심 역할을 하게 될 전망이다. 오늘 이 상의 의미를 미래의 메가 트렌드에 새롭게 도전하라는 채찍으로 이해하고 있다. 앞으로도 세계 반도체 산업 발전을 위해 최선을 다할 것을 이 자리를 빌어 다시 한번 다짐한다" 며 수상 소감을 밝혔다.
황사장은 대학 시절 앤디 그로브의<반도체의 물리학과 기술>(Physics & Technology of Semiconductor)라는 책에 심취하면서 반도체에 평생을 걸기로 한 것으로 알려져 있다.
황사장의 이번 수상은, 다수의 차세대 혁신 메모리 제품 개발 성공, 메모리 신성장론 제시 및 7년 연속 입증, 세계 유수 대학 (하버드, 케임브리지, MIT, 스탠포드, UC 버클리, 북경대) 에서의 반도체 미래기술 관련 특강 等 반도체 산업 발전을 위한 다양한 공헌은 물론, 세계 메이저 반도체 학회 (ISSCC, IEDM, VLSI) 에서의 논문 심사 等 왕성한 활동 및 기조 연설 等을 통한 반도체 미래방향 제시에 대한 공로를 인정받은 것으로 평가된다.
황사장은 지난 94년 세계 최초의 2백56Mb D램 개발로 '95년 D램 중흥기의 기반을 마련했으며, 99년 2백56메가 낸드 플래시 개발을 시작으로 올해 CTF 혁신 기술을 적용한 40나노 32기가 낸드 플래시 개발에 이르기까지 7년 연속 매년 두배씩 메모리 용량을 증가시켜 온데 기여했으며, 특히 "메모리 신성장론"으로 불리우는 이 이론은 기존 무어의 법칙을 다시 쓰고 있어 업계에 커다란 반향을 일으키고 있다.
더구나, 황사장이 올해 CTF 기술 기반 40나노 32기가 낸드 플래시는 과거 35년간 사용되던 "플로팅 게이트" 방식의 개념을 뒤엎는 혁신적인 "개척기술(Breakthrough Technology)" 로 앞으로 다가올 테라 시대의 해법을 최초로 제시했다.
작년 황사장은 미 전자업계 최상위기관인 미 전자산업협회(EIA: Electronic Industries Alliance) 로부터 세계 전자산업에 기여한 공로를 인정받아 미국인이 아닌 인사로는 최초로 <EIA 기술 리더상> (The EIA Leadership in Technology and Innovation Award)』을 수상한 바 있는데, 올해 또 다시 반도체 최고 기술 명인에게 수여되는 "앤디 그로브상"을 수상, IT 산업 심장부인 미국 본토에서 2년 연속 전자 및 반도체 분야 세계 최고 권위의 상을 받은 셈이 됐다.
삼성전자는 “이번 수상은 황사장 개인의 영광이기도 하겠지만, 한국 과학기술의 위상을 한 차원 높였다는 데 더욱 큰 의의가 있다”고 평가했다.
경영과 기술 아우르는 명인 인정 최고 권위의 상
황 사장은 12일 (미 현지시각) 미 샌프란시스코 힐튼호텔에서 열린 전미전기전자통신기술인협회(IEEE) 산하 2006 IEDM 학회 오찬 행사에서 세계 전기·전자분야 최고권위 단체인 IEEE 이사회가 수여하는 <2006 IEEE 앤디 그로브 상> 을 수상했다.
<편집광만이 살아 남는다>(Only the Paranoid Survives)는 책의 저자로도 유명한 앤디 그로브는 인텔의 창업자로, 그의 이름을 딴 이 상은 2000년 이후 IEEE가 세계 반도체 및 관련 분야에서 혁신적인 발전에 기여한 인사에게 수여해 온 반도체 기술분야 세계 최고 권위의 상이다.
황 사장의 이금번 수상은 반도체 전공의 미 스탠포드대 및 MIT대 교수, 팻 겔싱어 인텔 최고기술경영자(CTO) 등 반도체 학계 및 업계 저명 인사들의 추천으로 이루어졌는데, 특히 세계 반도체 1위 기업이자 이 상의 후원사인 인텔이 황사장을 추천했다는 점은 주목할 만하다고 삼성전자는 밝혔다.
지금까지 이 상을 수상한 사람은 총 6명으로, 대부분 저명 학자들이며, 기업인으로는 이 상 후원사인 인텔의 마크 보어(Mark Bohr)가 유일하며, 동양계 기업인으로는 황사장이 최초다. 이 상이 이제까지는 대체로 학자들에게 주어졌다는 점에서, 이번 수상을 계기로 황사장은 경영과 기술 두 분야 모두를 아우르는 반도체 업계의 진정한 명인으로 평가받았다.
이번 시상식에는 약 2천명에 달하는 IEDM 학회 소속 회원을 비롯, 세계 각국 저명 학자, 반도체 업계 관계자 등 총 3천여명이 참석했다.
이 자리에서 IEEE CEO 인 클레온 앤더슨 (W.Cleon Anderson,P.E.)은 다수의 혁신적인 메모리 반도체 개발로 세계 반도체 산업 발전에 커다란 족적을 남긴 황사장에게 이 상을 수여하게 되어 영광이라고 밝혔다.
황사장은 시상식에서 "2002년 ISSCC 학회 기조연설에서 선언한 모바일 및 디지털 컨수머, 그리고 퓨전으로 대표되는 반도체의 새로운 패러다임은 이제 큰 흐름이 되었다. IEDM 기조연설에서도 제시했듯, 모바일과 디지털 컨수머가 주도한 IT 이후는 IT,BT,NT 등 거대 산업간 융합과 복합이 이루어지는 퓨전기술(FT) 시대로 들어설 것으로 보이는데, 이 시대에도 반도체가 여전히 핵심 역할을 하게 될 전망이다. 오늘 이 상의 의미를 미래의 메가 트렌드에 새롭게 도전하라는 채찍으로 이해하고 있다. 앞으로도 세계 반도체 산업 발전을 위해 최선을 다할 것을 이 자리를 빌어 다시 한번 다짐한다" 며 수상 소감을 밝혔다.
황사장은 대학 시절 앤디 그로브의<반도체의 물리학과 기술>(Physics & Technology of Semiconductor)라는 책에 심취하면서 반도체에 평생을 걸기로 한 것으로 알려져 있다.
황사장의 이번 수상은, 다수의 차세대 혁신 메모리 제품 개발 성공, 메모리 신성장론 제시 및 7년 연속 입증, 세계 유수 대학 (하버드, 케임브리지, MIT, 스탠포드, UC 버클리, 북경대) 에서의 반도체 미래기술 관련 특강 等 반도체 산업 발전을 위한 다양한 공헌은 물론, 세계 메이저 반도체 학회 (ISSCC, IEDM, VLSI) 에서의 논문 심사 等 왕성한 활동 및 기조 연설 等을 통한 반도체 미래방향 제시에 대한 공로를 인정받은 것으로 평가된다.
황사장은 지난 94년 세계 최초의 2백56Mb D램 개발로 '95년 D램 중흥기의 기반을 마련했으며, 99년 2백56메가 낸드 플래시 개발을 시작으로 올해 CTF 혁신 기술을 적용한 40나노 32기가 낸드 플래시 개발에 이르기까지 7년 연속 매년 두배씩 메모리 용량을 증가시켜 온데 기여했으며, 특히 "메모리 신성장론"으로 불리우는 이 이론은 기존 무어의 법칙을 다시 쓰고 있어 업계에 커다란 반향을 일으키고 있다.
더구나, 황사장이 올해 CTF 기술 기반 40나노 32기가 낸드 플래시는 과거 35년간 사용되던 "플로팅 게이트" 방식의 개념을 뒤엎는 혁신적인 "개척기술(Breakthrough Technology)" 로 앞으로 다가올 테라 시대의 해법을 최초로 제시했다.
작년 황사장은 미 전자업계 최상위기관인 미 전자산업협회(EIA: Electronic Industries Alliance) 로부터 세계 전자산업에 기여한 공로를 인정받아 미국인이 아닌 인사로는 최초로 <EIA 기술 리더상> (The EIA Leadership in Technology and Innovation Award)』을 수상한 바 있는데, 올해 또 다시 반도체 최고 기술 명인에게 수여되는 "앤디 그로브상"을 수상, IT 산업 심장부인 미국 본토에서 2년 연속 전자 및 반도체 분야 세계 최고 권위의 상을 받은 셈이 됐다.
삼성전자는 “이번 수상은 황사장 개인의 영광이기도 하겠지만, 한국 과학기술의 위상을 한 차원 높였다는 데 더욱 큰 의의가 있다”고 평가했다.
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