하이닉스, 3.4분기 창사 이래 최대 매출
메모리라인 증설 및 업그레이드에 7천1백68억 투자키로
하이닉스반도체는 반도체 D램 시장의 호조세가 지속됨에 따라 올 3.4분기중 창사 이래 최대 매출인 1조9천6백60억원(연결기준) 기록했다고 26일 밝혔다.
영업이익 전기대비 17%, 순이익 17% 증가
이는 해외법인을 포함한 수치로, 전기대비 18% 증가한 수준으로, 하이닉스는 계절적인 수요증가로 인한 D램 시장 호조와 낸드플래시 수요증가에 따른 가격 안정세가 매출 증가를 이끌었다고 설명했다.
영업이익은 중국 생산공장의 초기 생산으로 인한 원가 상승요인에도 불구하고 4천5백30억원을 기록, 전기대비 17% 증가했으며, 영업이익률은 지난 2.4분기와 같은 23% 수준을 유지했다.
3.4분기 순이익은 전분기의 3천3백40억원 대비 17% 증가한 3천9백억원을 기록했다.
본사기준으로 보면 3.4분기 매출은 1조8천2백40억원으로 전기대비 16% 증가했으나, 영업이익은 2천9백20억원으로 10% 감소했다. 순이익은 3840억원으로 전기대비 18% 증가했다.
하이닉스는 3.4분기 D램 평균 판매가격은 전분기 대비 약 9% 상승했으며, 80나노의 순조로운 양산 진행과 중국합작법인 8인치 공장의 본격 가동에 힘입어 출하량은 전분기 대비 약 14% 증가했다고 밝혔다.
낸드플래시 평균 판매가격은 전기대비 약 24% 하락했으나, 70나노 제품의 순조로운 양산과 멀티레벨셀(MLC) 제품 비중 증가로 출하량은 46% 증가한 것으로 나타났다.
하이닉스는 “3.4분기 가동을 시작한 중국공장의 빠른 양산진행으로 해외생산비중이 크게 증가함으로써, 미국·유럽·일본 등에서의 상계관세 문제를 원천적으로 최소화해 고객만족경영을 극대화할 수 있게 됐다”며 “향후 시장은 4.4분기 D램 시장이 계절적인 성수기 이외에도 윈도비스타 출시에 기인한 수요가 증가하고, 그래픽과 모바일 분야의 신제품 출시와 더불어 안정적인 수요성장이 기대된다”고 전망했다.
하이닉스는 “낸드 플래시 제품도 고용량화가 급속히 진행되고 기존 수요처 이외에도 각종 모바일 기기로 수요처가 빠르게 확대되면서 안정적인 성장이 예상된다”며 26일 이사회 결의를 통해 메모리 라인 증설, 업그레이드 및 연구개발 등에 7천1백68억원을 투자하기로 결정할 것이라고 밝혔다.
영업이익 전기대비 17%, 순이익 17% 증가
이는 해외법인을 포함한 수치로, 전기대비 18% 증가한 수준으로, 하이닉스는 계절적인 수요증가로 인한 D램 시장 호조와 낸드플래시 수요증가에 따른 가격 안정세가 매출 증가를 이끌었다고 설명했다.
영업이익은 중국 생산공장의 초기 생산으로 인한 원가 상승요인에도 불구하고 4천5백30억원을 기록, 전기대비 17% 증가했으며, 영업이익률은 지난 2.4분기와 같은 23% 수준을 유지했다.
3.4분기 순이익은 전분기의 3천3백40억원 대비 17% 증가한 3천9백억원을 기록했다.
본사기준으로 보면 3.4분기 매출은 1조8천2백40억원으로 전기대비 16% 증가했으나, 영업이익은 2천9백20억원으로 10% 감소했다. 순이익은 3840억원으로 전기대비 18% 증가했다.
하이닉스는 3.4분기 D램 평균 판매가격은 전분기 대비 약 9% 상승했으며, 80나노의 순조로운 양산 진행과 중국합작법인 8인치 공장의 본격 가동에 힘입어 출하량은 전분기 대비 약 14% 증가했다고 밝혔다.
낸드플래시 평균 판매가격은 전기대비 약 24% 하락했으나, 70나노 제품의 순조로운 양산과 멀티레벨셀(MLC) 제품 비중 증가로 출하량은 46% 증가한 것으로 나타났다.
하이닉스는 “3.4분기 가동을 시작한 중국공장의 빠른 양산진행으로 해외생산비중이 크게 증가함으로써, 미국·유럽·일본 등에서의 상계관세 문제를 원천적으로 최소화해 고객만족경영을 극대화할 수 있게 됐다”며 “향후 시장은 4.4분기 D램 시장이 계절적인 성수기 이외에도 윈도비스타 출시에 기인한 수요가 증가하고, 그래픽과 모바일 분야의 신제품 출시와 더불어 안정적인 수요성장이 기대된다”고 전망했다.
하이닉스는 “낸드 플래시 제품도 고용량화가 급속히 진행되고 기존 수요처 이외에도 각종 모바일 기기로 수요처가 빠르게 확대되면서 안정적인 성장이 예상된다”며 26일 이사회 결의를 통해 메모리 라인 증설, 업그레이드 및 연구개발 등에 7천1백68억원을 투자하기로 결정할 것이라고 밝혔다.
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